Samsung a indiqué lors de sa conférence à l’Intel Developer Forum qu’il prévoit de commencer la production en volume de la mémoire à bande passante élevée (HBM). La société a également révélé sa vision et les attentes actuelles concernant les puces HBM. Samsung prévoit sans surprise de sauter la mémoire HBM de première génération et de fabriquer directement des produits HBM de deuxième génération, qui offre des densités et des fréquences plus élevées.
Samsung travaille actuellement sur plusieurs packages HBM dotés respectivement de deux , quatre ou huit puces de mémoire. Les débits de données devraient aller jusqu’à 256 Go / s par puce.
La firme continue en évoquant l’actuelle puce “Fidji” qui prend en charge jusqu’à quatre HBM avec une interface 4096-bit. Les prochaines puces pourraient accueillir plusieurs contrôleurs HBM et atteindre des interfaces mémoire sans précédent de 6144 bits.
Ainsi toujours selon les prévisions de la marque il faut s’attendre à des offres de GPU ultra-haut de gamme qui embarquent six piles de mémoire HBM, permettant d’obtenir des capacités de 12, 24 ou 48 Go de mémoire embarquée avec une bande passante de 1,5 To. Il ne s’agit que de prévisions, mais on peut penser qu’un fabricant comme Samsung est plutôt bien informé.