Avec l’essor des nouvelles technologies de mémoire telle que l’HBM il y a eu beaucoup de recherches sur de nouveaux types de mémoire. Dans le passé, nous avons discuté des technologies telles que le transfert de Spin, le couple magnétique (Stt- MRAM), le changement de phase (PCRAM), la mémoire ferroélectrique (FRAM), ou encore Resistive RAM. Toutes ses technologies qui sont en cours d’élaboration pour pousser les performances des matériaux actuellement utilisés dans la fabrication de RAM.
Ces avancées ne sont pas les seuls à être travaillé, par exemple deux équipes en Corée travaillent actuellement sur l’utilisation de l’oxyde de zinc indium (IZO) aux côtés de nanofils et d’autres oxydes conducteurs transparents pour créer des dispositifs flexibles de ReRAM avec 80% de transparence. Ceci est parfait pour une utilisation dans les écrans flexibles et les dispositifs portables qui gagnerait à être flexible. Il pourrait même créer des SSD transparents savoir plus sur leur recherche à Nanotechweb.
Pour plus d’information sur ce sujet je vous invite à aller voir par là.
